KIWANGO CHA UZALISHAJI WA ZW SERIES WELDED DIODE
Marejeleo ya kawaida yaliyotumiwa na Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor Co katika utengenezaji wa diode ya kulehemu yalikuwa yafuatayo:
1. GB/T 4023—1997 Vifaa Tofauti vya Vifaa vya Semiconductor na Mizunguko Iliyounganishwa Sehemu ya 2: Diodi za Kurekebisha
2. GB/T 4937—1995 Mbinu za Majaribio ya Mitambo na Hali ya Hewa kwa Vifaa vya Semicondukta
3. JB/T 2423—1999 Power Semiconductor Devices - Mbinu ya Kubuni
4. Ufungaji wa Kifaa cha JB/T 4277—1996 Power Semiconductor
5. JB/T 7624-1994 Njia ya Mtihani wa Diode ya Rectifier
Mfano na Ukubwa
1. Jina la mfano: Mfano wa diode ya kulehemu inahusu kanuni za JB/T 2423-1999, na maana ya kila sehemu ya mfano imeonyeshwa kwenye Mchoro 1 hapa chini:
2. Alama za picha na utambulisho wa terminal (ndogo).
Alama za mchoro na kitambulisho cha mwisho zinaonyeshwa kwenye Mchoro 2, mshale unaelekeza kwenye terminal ya cathode.
3. Vipimo vya sura na ufungaji
Umbo la diode iliyo svetsade ni laini na aina ya diski, na sura iliyo na saizi inapaswa kukidhi mahitaji ya Mchoro 3 na Jedwali 1.
| Kipengee | Kipimo (mm) | ||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000/ZW18000 | |
| Cathode flange (Dmax) | 61 | 76 | 102 |
| Cathode na anode Mesa(D1) | 44±0.2 | 57±0.2 | 68±0.2 |
| Kipenyo cha juu cha pete ya kauri(D2max) | 55.5 | 71.5 | 90 |
| Jumla ya unene (A) | 8±1 | 8±1 | 13±2 |
| Panda shimo la msimamo | Kipenyo cha shimo: φ3.5±0.2mm,Kina cha shimo: 1.5±0.3mm | ||
| Kumbuka: kipimo na ukubwa wa kina tafadhali wasiliana | |||
Ukadiriaji na sifa
1. Kiwango cha parameter
Msururu wa volti ya kilele inayorudiwa nyuma (VRRM) ni kama ilivyobainishwa katika Jedwali la 2
Jedwali 2 Kiwango cha Voltage
| VRRM(V) | 200 | 400 |
| Kiwango | 02 | 04 |
2. Punguza maadili
Thamani za kikomo zitazingatia Jedwali la 3 na kutumika kwa safu nzima ya halijoto ya uendeshaji.
Jedwali 3 Thamani ya Kikomo
| Thamani ya Kikomo | Alama | Kitengo | Thamani | |||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000 | ZW18000 | |||
| Halijoto ya kesi | Tcase | ℃ | -40 -85 | |||
| Halijoto sawa ya makutano (kiwango cha juu zaidi) | T(vj) | ℃ | 170 | |||
| Halijoto ya kuhifadhi | Tstg | ℃ | -40 ~170 | |||
| Voltage ya kurudi nyuma ya kilele (kiwango cha juu) | VRRM | V | 200/400 | 200/400 | 200/400 | 200/400 |
| Rejesha voltage ya kilele isiyojirudia (max | VRSM | V | 300/450 | 300/450 | 300/450 | 300/450 |
| Wastani wa usambazaji wa sasa (upeo) | IF (AV) | A | 7100 | 12000 | 16000 | 18000 |
| Mkondo wa mwendo wa mbele (usio kurudiarudia) (kiwango cha juu zaidi) | IFSM | A | 55000 | 85000 | 120000 | 135000 |
| I²t (kiwango cha juu) | I²t | kA²s | 15100 | 36100 | 72000 | 91000 |
| Nguvu ya kuweka | F | kN | 22-24 | 30 ~ 35 | 45 ~ 50 | 52 ~ 57 |
3. Maadili ya tabia
Jedwali la 4 Nambari za juu zaidi za tabia
| Tabia na hali | Alama | Kitengo | Thamani | |||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000 | ZW18000 | |||
| Voltage ya kilele cha mbeleIFM=5000A, Tj=25℃ | VFM | V | 1.1 | 1.08 | 1.06 | 1.05 |
| Rudisha mkondo wa kilele unaojirudiaTj=25℃, Tj=170℃ | IRRM | mA | 50 | 60 | 60 | 80 |
| Upinzani wa joto Makutano-kwa-kesi | Rjc | ℃/W | 0.01 | 0.006 | 0.004 | 0.004 |
| Kumbuka: kwa mahitaji maalum tafadhali wasiliana | ||||||
Thediode ya kulehemuzinazozalishwa na Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor hutumiwa sana katika welder upinzani, mashine ya kulehemu ya kati na ya juu ya mzunguko hadi 2000Hz au zaidi.Inayo kiwango cha juu cha voltage ya mbele zaidi ya chini, upinzani wa chini wa mafuta, teknolojia ya hali ya juu ya utengenezaji, uwezo bora wa kubadilisha na utendakazi thabiti kwa watumiaji wa kimataifa, diode ya kulehemu kutoka Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor ni moja ya kifaa cha kutegemewa cha nishati ya Uchina. bidhaa za semiconductor.