Awamu ya Udhibiti Thyristor (Aina ya Aloi)

Maelezo:

Thyristor, pia inajulikana kama Silicon Control Rectifier (SCR), ni kifaa cha semiconductor chenye nguvu ya juu kinachojumuisha miundo mitatu ya PN.Kwa upande wa utendaji, thyristor sio tu ina conductivity ya unidirectional, lakini pia ina udhibiti wa thamani zaidi kuliko kipengele cha kurekebisha silicon, ambacho ni majimbo mawili tu ya uendeshaji na nje ya serikali, kudhibiti nguvu kubwa na nguvu ndogo, amplification ya nguvu hadi mamia au. maelfu ya mara.Mwitikio ni wa haraka sana, unawasha na kuzima katika sekunde ndogo.Uendeshaji usio na mawasiliano, hakuna cheche, hakuna kelele, wakati ufanisi wa juu na gharama ya chini.Kwa hiyo, hasa katika mfumo wa juu wa ugavi wa nguvu, thyristor imetumiwa sana katika mzunguko wa rectifier, kubadili static bypass, kubadili pato bila mawasiliano na nyaya nyingine.

Kiwango cha utengenezaji wa thyristor na teknolojia ya usindikaji wa RUNAU Electronics ilianzishwa kutoka Marekani tangu miaka ya 1980, kama mwanzilishi wa utengenezaji wa thyristor nchini China, timu ya kiufundi ya RUNAU ilikuwa imepata ujuzi wa hali ya juu na uzoefu wa kutosha wa utengenezaji kwa zaidi ya miaka 30.Kwa msingi wa mchakato wa utengenezaji wa kitamaduni, mafundi wa talanta wa RUNAU Electronics walikuwa wameunda teknolojia ya hali ya juu katika utengenezaji wa thyristor na sifa za faida za bidhaa za Uropa, ubora na utendaji umeboreshwa sana, mafanikio makubwa zaidi yamepatikana katika utumiaji wa umeme. shamba, na thamani zaidi iliundwa kwa washirika.

Utangulizi:

1. Chipu

Chip thyristor viwandani na RUNAU Electronics ni sintered alloying teknolojia kutumika.Kaki ya silicon na molybdenum iliwekwa kwa aloi kwa alumini safi (99.999%) chini ya utupu wa juu na mazingira ya joto la juu.Utawala wa sifa za sintering ni jambo kuu la kuathiri ubora wa thyristor.Ujuzi wa RUNAU Electronics pamoja na kusimamia kina cha makutano ya aloi, usawa wa uso, cavity ya aloi pamoja na ujuzi kamili wa kuenea, lango la katikati, muundo wa mzunguko wa pete zilitumika kuwezesha uendeshaji wa kuaminika na wa juu wa upitishaji wa thyristor, ili kuhakikisha utendaji wa hali ya juu.

2. Ufungaji

Kwa udhibiti mkali wa kujaa na usawa wa kaki ya molybdenum na kifurushi cha nje, chip na kaki ya molybdenum itaunganishwa na kifurushi cha nje kwa kukazwa na kabisa.Vile vitaongeza upinzani wa sasa wa kuongezeka na juu ya sasa ya mzunguko mfupi.Na kipimo cha teknolojia ya uvukizi wa elektroni kilitumika kuunda filamu nene ya alumini kwenye uso wa kaki ya silicon, na safu ya ruthenium iliyowekwa kwenye uso wa molybdenum itaongeza upinzani wa uchovu wa mafuta kwa kiasi kikubwa, muda wa maisha ya kazi ya thyristor utaongezeka kwa kiasi kikubwa.

Uainishaji wa kiufundi

1. Awamu ya thyristor inayodhibitiwa na chipu ya aina ya aloi iliyotengenezwa na RUNAU Electronics, anuwai ya I_TAVkutoka 300A hadi 6000A na V_DRM/V_RRMkutoka 800V hadi 4400V.
2. I_GT, V_GTna mimi_Hni maadili ya majaribio katika 25℃, isipokuwa kama itaelezwa vinginevyo, vigezo vingine vyote ni viwango vya majaribio chini ya T._jm;
3. I²t=mimi²F SM×tw/2, tw= Upana wa msingi wa nusu ya wimbi la Sinusoidal.Katika 50Hz, I²t=0.005I²FSM(A²S);
4. Katika 60Hz: I_FSM(ms.8.3)=Mimi_FSM(milisekunde 10)×1.066,T_j=T_j;I²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943,T_j=T_jm

Kigezo: