Kubadili haraka Thyristor

Maelezo:

Haraka kubadili thyristor, na muundo sawa na ishara ya awamu kudhibiti thyristor, wakati sifa bora tuli, hasa sifa ya nguvu inahitajika na maombi high frequency ya kurekebisha, kukata, inverter na mzunguko mzunguko uongofu.Vigezo vinavyobadilika vya thyristor ya haraka ni kasi ya kuwasha na kasi ya upanuzi wa kuwasha, malipo ya chini ya kurejesha nyuma, na muda mfupi wa kuzima, kiwango cha juu cha kupanda kwa mkondo wa serikali (di/dt) na kiwango muhimu cha kupanda kwa voltage ya nje ya serikali (dv/dt).Sasa iliyopimwa ya thyristor ya haraka ndani ya mzunguko uliopimwa haipunguzi au hupungua kidogo wakati mzunguko unaongezeka.

Kiwango cha utengenezaji wa thyristor ya haraka na teknolojia ya usindikaji ya RUNAU Electronics ilianzishwa kutoka Marekani tangu miaka ya 1980, kama mwanzilishi wa utengenezaji wa thyristor nchini China, timu ya kiufundi ya RUNAU ilikuwa imepata ujuzi wa hali ya juu na uzoefu wa kutosha wa utengenezaji kwa zaidi ya miaka 30.Kwa msingi wa mchakato wa utengenezaji wa kitamaduni, mafundi wa talanta wa RUNAU Electronics walikuwa wameunda teknolojia ya hali ya juu katika utengenezaji wa thyristor na sifa za faida za bidhaa za Uropa, ubora na utendaji umeboreshwa sana, mafanikio makubwa zaidi yamepatikana katika utumizi wa umeme wa umeme. na thamani zaidi iliundwa kwa washirika.

Utangulizi:

1. Chipu

Chip thyristor viwandani na RUNAU Electronics ni sintered alloying teknolojia kutumika.Kaki ya silicon na molybdenum iliwekwa kwa aloi kwa alumini safi (99.999%) chini ya utupu wa juu na mazingira ya joto la juu.Utawala wa sifa za sintering ni jambo kuu la kuathiri ubora wa thyristor.Ujuzi wa Umeme wa RUNAU pamoja na kudhibiti kina cha makutano ya aloi, kujaa kwa uso, matundu ya aloi pamoja na ustadi kamili wa kueneza, muundo wa mduara wa pete, muundo maalum wa lango.Pia usindikaji maalum uliajiriwa ili kupunguza maisha ya mtoa huduma wa kifaa, ili kasi ya ujumuishaji wa mtoa huduma wa ndani kuharakishwa sana, malipo ya kurejesha nyuma ya kifaa hupunguzwa, na kasi ya kubadili inaboreshwa kwa hiyo.Vipimo kama hivyo vilitumika ili kuboresha sifa za kubadili haraka, sifa za hali ya juu, na mali ya sasa ya kuongezeka.Utendaji na uendeshaji wa uendeshaji wa thyristor ni wa kuaminika na mzuri.

2. Ufungaji

Kwa udhibiti mkali wa kujaa na usawa wa kaki ya molybdenum na kifurushi cha nje, chip na kaki ya molybdenum itaunganishwa na kifurushi cha nje kwa kukazwa na kabisa.Vile vitaongeza upinzani wa sasa wa kuongezeka na juu ya sasa ya mzunguko mfupi.Na kipimo cha teknolojia ya uvukizi wa elektroni kilitumika kuunda filamu nene ya alumini kwenye uso wa kaki ya silicon, na safu ya ruthenium iliyowekwa kwenye uso wa molybdenum itaongeza upinzani wa uchovu wa mafuta kwa kiasi kikubwa, muda wa maisha ya kazi ya thyristor ya kubadili haraka itaongezeka kwa kiasi kikubwa.

Uainishaji wa kiufundi

1. Badili kwa kasi thyristor na chip aina ya aloi iliyotengenezwa na RUNAU Electronics, aina ya I_TAVkutoka 200A hadi 4000A na V_DRM/V_RRMkutoka 1200V hadi 4500V.
2. I_GT, V_GTna mimi_Hni maadili ya majaribio katika 25℃, isipokuwa kama itaelezwa vinginevyo, vigezo vingine vyote ni viwango vya majaribio chini ya T._jm;
3. I²t=mimi²F SM×tw/2, tw= Upana wa msingi wa nusu ya wimbi la Sinusoidal.Katika 50Hz, I²t=0.005I²FSM(A²S);
4. Katika 60Hz: I_FSM(ms.8.3)=Mimi_FSM(milisekunde 10)×1.066,T_j=T_j;I²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943,T_j=T_jm

Kigezo: